Чтобы обеспечить требуемые характеристики устройств, необходимо безопасное тестирование с высокой скоростью и точностью полевых МОП-транзисторов на основе Si, SiC и GaN в лабораторных условиях, а также на уровне пластины. В следующих материалах описываются проблемы тестирования, возникающие при включении в разработку силовых устройств на основе SiC и GaN, а также способы решения таких проблем. Узнайте, как свести к минимуму потери энергии и довести до максимума время работы от аккумуляторной батареи разрабатываемых устройств. Сократите время вывода на рынок новых разработок.