Измерение и анализ источников питания

Измерения характеристик источников питания при помощи осциллографа, пробника тока и пробника напряжения

Измерение и анализ источников питания

 

 

Для современных эффективных преобразователей электроэнергии требуется меньше входной мощности на ватт выходной мощности, зато они более требовательны в плане измерений параметров питающей сети. Схемы устройств становятся всё сложнее, и почти в каждом сигнале присутствуют паразитные компоненты, что требует тщательного сравнения результатов моделирования и измерений. Из-за увеличения частоты переключений усложняется контроль электромагнитных помех. Для новых систем необходимы источники питания с низким уровнем шумов и быстрым откликом. Все эти проблемы раскрываются ниже.

Измерение и анализ коммутационных потерь

На коммутационные потери приходится существенная доля общих потерь импульсных источников питания. Узнайте, как измерять эти потери в рабочих условиях.

  • Определение коммутационных потерь при включении, выключении и потерь на проводимость.
  • Порядок настройки измерений
  • Измерение коммутационных потерь при помощи ручных настроек и расчётных сигналов
  • Измерение коммутационных потерь с использованием опций автоматического анализа питания
Умножая напряжение на ток в полевом МОП-транзисторе, можно получить мгновенную мощность.  Средняя мощность рассеяния соответствует коммутационным потерям

Измерения мгновенной мощности в течение цикла переключения

Измерения потерь во внутрисхемных индукторах и трансформаторах

Измерения петли гистерезиса (B-H) и индуктивности при помощи осциллографа

Анализируя напряжение и ток в режиме реального времени, можно получить графики индуктивности и петлю гистерезиса (B-H)

Узнайте, как при помощи осциллографа измеряются характеристики внутрисхемных магнитных компонентов, в том числе индуктивность, потери и петля гистерезиса (B-H).

  • Практическое применение магнитных компонентов
  • Измерение индуктивности в рабочих условиях
  • Измерения потерь в индукторах и трансформаторах

Измерения характеристик коммутационных устройств на основе GaN и SiC

При выполнении измерений, связанных с высокой скоростью переключения и большим синфазным напряжением, возникают определённые сложности. Узнайте, как их преодолеть.

  • Устранение проблем с высоким напряжением синфазного сигнала
  • Одновременное измерение нескольких управляющих и синхросигналов
  • Ускорение автоматических измерений
  • Выполнение предварительных проверок на соответствие требованиям по ЭМС
Верхний и нижний сигнал драйвера затвора переключающего полевого транзистора в полумостовом источнике питания

Изоляция — это ключ к пониманию сигналов драйвера затвора

Область устойчивой работы (SOA) транзистора

Можно измерить напряжение и ток между истоком и стоком полевого МОП-транзистора и сравнить их с областью устойчивой работы, указанной в техническом описании компонента

Измерения напряжения и тока между истоком и стоком с использованием маски SOA.

Измерения характеристик полевых транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором или биполярных плоскостных транзисторов можно использовать для подтверждения нахождения этих параметров в области устойчивой работы, указанной в технических описаниях.

  • Выполнение выборочных проверок напряжения и тока
  • Проверка по предельным значениям для обнаружения превышения по току или напряжению
  • Автоматическое тестирование по маске
Загрузки
Загрузить

Загрузить руководства, технические описания, программное обеспечение и т. д.: