Свяжитесь с нами

Живой чат с представителями Tektronix. С 9:00 до 17:00, тихоокеанское поясное время.

Звонок

Позвоните нам

Живой чат с представителями Tektronix. С 9:00 до 17:00 CET

Загрузить

Загрузить руководства, технические описания, программное обеспечение и т. д.:

ТИП ЗАГРУЗКИ
МОДЕЛЬ ИЛИ КЛЮЧЕВОЕ СЛОВО

Обратная связь

Определение характеристик силовых полупроводниковых приборов, в том числе с широкой запрещённой зоной (SiC, GaN)

Mosfet_BannerArt_NoType_rev1

Безопасное быстрое и точное тестирование полевых МОП-транзисторов

Для устройств на основе Si, SiC и GaN

Ускорение вывода на рынок силовых полупроводниковых приборов

В настоящее время широкозонные полупроводники (такие, как SiC и GaN), способные работать при более высоких частотах, напряжении и температуре с меньшими потерями мощности, используются наряду с распространёнными приборами на основе кремния в областях со сложными рабочими условиями, таких как автомобильные системы и системы РЧ-связи. Однако повышение эффективности существующих кремниевых приборов позволяет поддерживать высокое ценностное предложение во многих секторах активных рынков. Ускорение вывода на рынок силовых полупроводниковых приборов за счёт сведения к минимуму отказов в полевых условиях.

Увеличенная огибающая мощности

Для ручного определения характеристик устройств для электрических систем, выполняемого на уровне пластины и корпуса, требуется изучение новых методов, оборудование и пробники для измерения малых значений (например, измерения токов утечки на уровне пА в присутствии высокого напряжения пробоя). Решения для тестирования силовых устройств, предлагаемое компанией Keithley, позволяет подавать ток до 100 А и напряжение до 3000 В, а также оптимизировать сложные, отнимающие много времени изменения настроек при переходе от измерений в режиме включения (ON) к режиму выключения (OFF) и измерениям ёмкости.

Characterization_Wedge1-1

Типичная схема измерений в режиме включения.

Безопасная настройка тестирования

Оснастка для тестирования устройств высокой мощности модели 8010 обеспечивает быстрое и безопасное подключение для тестирования высокомощных приборов напряжением до 3 кВ или током до 100 А.

Кроме того, требуется безопасная настройка тестирования высоким напряжением с быстрым получением результатов. Чтобы сделать это вручную, нужны навыки программирования и возможности для разработки и создания системы, удовлетворяющей требования по безопасности. Но в этом нет необходимости. Безопасное и быстрое подключение для тестирования корпусных элементов напряжением до 3000 В или током до 100 А может обеспечить оснастка для тестирования устройств высокой мощности модели 8010. Она позволяет легко и просто выполнять общепринятые измерения ВАХ без использования программы ACS-BASIC.

Вдвое более быстрая характеристика приборов для ускорения их выхода на рынок

Быстро получить результаты тестирования, чтобы уложиться в сроки вывода на рынок распространённых приборов на основе Si и GaN, для которых требуется меньший размах огибающей мощности, позволяет параметрический анализатор 4200A, обеспечивающий автоматизацию всех тестов, выполняемых напряжением до 200 В и током до 1 А, для определения характеристик.

4200a-parameter-analyzer-front

Параметрический анализатор 4200A-SCS.

Исключение дорогостоящего резервирования при проектировании широкозонных устройств

Выполнение дифференциальных измерений (с плавающим потенциалом), например Vgs на стороне высокого напряжения, сложно или практически невозможно из-за высокой частоты (быстрое включение/выключение) и наличия больших синфазных напряжений (таких как Vds), так как у пробников осциллографа недостаточный коэффициент ослабления синфазного сигнала на высоких частотах. Из-за недостаточного коэффициента ослабления синфазного сигнала в результате измерений получается не фактический дифференциальный сигнал, а преимущественно синфазная ошибка. Tektronix является единственной компанией, предлагающей решение с использованием пробника с гальванической развязкой (ISOVu), параметры которого не зависят от частоты в диапазоне рабочих характеристик устройств на основе GaN и SiC, что позволяет выполнять точные дифференциальные измерения. С их помощью можно точно рассчитать и подтвердить потери проводимости, потери на мёртвое время и потери переключения. Кроме того, если затвор не управляется встроенным драйвером, дифференциальные измерения с плавающим потенциалом позволяют точно измерять и контролировать мёртвое время между включением и выключением устройств. Это помогает избежать завышенной оценки высокочастотного излучения преобразователей электроэнергии, возникающего из-за переходных напряжений (dv/dt), а также тока, генерируемого при жёстком переключении.

Ещё одной особенностью является влияние ёмкости пробника при высоких частотах переключения. Слишком большая ёмкость пробника сглаживает передний фронт сигналов при измерениях, что приводит к потере важных высокочастотных характеристик переключения. Кроме того, измерения пробником очень чувствительных сигналов плавающего затвора могут привести к повреждению прибора из-за переходных сигналов, возникающих вследствие заряда ёмкости. Пробник ISOVu с низкой ёмкостью позволяет свести к минимуму проблемы влияния ёмкости пробника на сигналы затвора, а также риск повреждения прибора из-за переходных сигналов.

Characterization_Wedge4

При помощи пробника IsoVu можно точно захватить сигнал напряжения затвора на высокой стороне, чтобы оценить и оптимизировать характеристики переключения и надёжности без ухудшения dV/dt.

Title
SiC- GaN Components - 5 Key Tests
This webinar presents techniques for high power characterization of Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) components. We look at power levels as high as 2000W and electrical levels of up to …
Top 7 Characterization Tests for MOSFETs
Learn seven key characterization tests for FETs, how to perform them, and what they can tell you about your device. Examples range from the classic drain family of curves to gate-drain capacitance …