Если вы работаете над материалами или устройствами будущего, такими как полупроводниковые соединения на основе кремния, тонкие пленки для фотоэлементов, графен и другие наноразмерные материалы и т. д., то вы находитесь на переднем крае разработок технических усовершенствований в области новых приложений для полупроводниковой техники, электронного оборудования, медицинского оборудования, здравоохранения и т. д. Мы бы хотели продемонстрировать последние технические новшества и методики, обеспечивающие точное определение электрических характеристик этих современных материалов, такие как:

  • определение характеристик при помощи электрохимических методов;
  • измерения характеристик наноразмерных материалов;
  • тестирование графеновых компонентов при помощи приборов на основе эффекта Холла;
  • тестирование сложных полупроводниковых устройств и материалов при помощи вольт-амперных характеристик в импульсном режиме;
  • мониторинг тока сфокусированного ионного пучка;
  • определение характеристик нанокристаллов;
  • определение вольт-фарадных характеристик фотоэлементов;
  • анализ изменения параметров полупроводников;
  • измерения сверхнизких токов.

Наши комплексные решения для определения электрических характеристик новых материалов и устройств помогут вам обеспечить свое превосходство и взглянуть на окружающий мир другими глазами.

Библиотека

Title
Performing Cyclic Voltammetry Measurements Using 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab Systems

This application note outlines using either a 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab System to perform cyclic voltammetry using the built-in test script and electrochemistry translation cable accessory kit.

Leakage Current and Insulation Resistance Measurements
Characterizing Nanoscale Devices with Differential Conductive Measurements

With appropriate instrumentation, the four-wire source current/measure voltage method is a great improvement over older differential conductance measurements, which are slow, noisy, and complex.  The new technique's single sweep shortens hours of data collection to a few minutes, while improving accuracy.

Hall Effect Measurements Essential for Characterizing High Carrier Mobility
Four-Probe Resistivity and Hall Voltage Measurements with the Model 4200-SCS
Resistivity Measurements Using the Model 2450 SourceMeter SMU Instrument and a Four-Point Collinear Probe
Electrical Characterization of Carbon Nanotube Transistors (CNT FETs) with the Model 4200-SCS Semiconductor Characterization System
Making High Resistance Measurements on Small Crystals in Inert Gas or High Vacuum w/ the Model 6517A
Title
Tips and Techniques to Simplify MOSFET/MOSCAP Device Characterization

This webinar presents a new process that makes characterization and parameter extraction easier and quicker. We'll be discussing the extraction of common parameters as well as which tests to run to get the most information about your device.

Загрузки
Загрузить

Загрузить руководства, технические описания, программное обеспечение и т. д.:

Go to top