Технологии памяти нового поколения, например DDR4 и LPDDR3, отличаются более высокой скоростью, более низким напряжением ввода-вывода и различными размерами в зависимости от потребности систем, в которых они используются. Эти факторы создают сложности при отладке и проверке в результате использования более жестких допусков, высоких скоростей и сложных шинных протоколов.

Tektronix предлагает обширный набор средств для проверки и отладки памяти:

  • Проверка электрических характеристик DDR:
    захват, измерение и определение характеристик сигнала интерфейса, джиттера, размера глазковых диаграмм, кроссовера, согласования стробирующего и тактового импульсов, и коэффициента битовых ошибок памяти DDR.
  • Проверка логических характеристик DDR:
    захват и измерение цифрового логического состояния интерфейса памяти DDR и выполнение синхронизации и анализа протокола, исходя из цикла шины.
     
  • Проверка протокола DDR:
    захват и анализ команд шин, управляющих временных последовательностей, сравнение результатов со спецификациями интерфейсов памяти и анализ передачи данных по шинам, как показатели использования и производительности шин.
DDR Memory